IBM Skip to main content
  Home     Products & services     Support & downloads     My account  
  Select a country  
Journals Home  
  Systems Journal  
Journal of Research
and Development
  ·  Current Issue  
  ·  Recent Issues  
  ·  Papers in Progress  
  ·  Search/Index  
  ·  Orders  
  ·  Description  
  ·  Patents  
  ·  Recent publications  
  ·  Author's Guide  
  Staff  
  Contact Us  
IBM Journal of Research and Development  
Volume 43, Numbers 1/2, 1999
Plasma processing
 Table of contents: arrowHTML arrowASCII   This article: arrowHTML arrowASCII
arrowCopyright info
   

Surface science issues in plasma etching - References

by G. S. Oehrlein, M. F. Doemling, B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, N. R. Rueger, M.Schaepkens, and T. E. F. M. Standaert

References

  1. G. S. Oehrlein and J. F. Rembetski, IBM J. Res. Develop. 36, 140 (1992).
  2. G. S. Oehrlein, Surf. Sci. 386, 222 (1997).
  3. M. A. Lieberman and A. J. Lichtenberg, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing, John Wiley & Sons, Inc., New York, 1994.
  4. K. Nojiri, E. Iguchi, K. Kawamura, and K. Kadota, Bus. Center Acad. Soc. Jpn., Tokyo, 1989, p. 153.
  5. R. A. Gottscho, C. W. Jurgensen, and D. J. Vitkavage, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 2133 (1992).
  6. I. P. Herman, Optical Diagnostics for Thin Film Processing, Academic Press, Inc., New York, 1996.
  7. H. Sugai, H. Kojima, A. Ishida, and H. Toyoda, Appl. Phys. Lett. 56, 2616 (1990).
  8. Y. Hikosaka, M. Nakamura, and H. Sugai, Jpn. J. Appl. Phys. 33, 2157 (1994).
  9. E. R. Fisher, P. Ho, W. G. Breiland, and R. J. Buss, J. Phys. Chem. 96, 9855 (1992).
  10. G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 34 (1993).
  11. E. S. Aydil, R. A. Gottscho, and Y. J. Chabal, Pure & Appl. Chem. 66, 1381 (1994).
  12. E. S. Aydil and R. A. Gottscho, Semicond. Sci. Technol. 40, 181 (1997).
  13. J. C. Arnold and H. H. Sawin, J. Appl. Phys. 70, 5314 (1991).
  14. M. Schaepkens and G. S. Oehrlein, Appl. Phys. Lett. 72, 1293 (1998).
  15. K. Kurihara and M. Sekine, Plasma Sources Sci. Technol. 5, 121 (1996).
  16. O. Joubert, G. S. Oehrlein, and Y. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 658 (1994).
  17. O. Joubert, G. S. Oehrlein, M. Surendra, and D. Zhang, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 1957 (1994).
  18. G. S. Oehrlein, K. K. Chan, M. A. Jaso, and G. W. Rubloff, J. Vac. Sci. Technol. A 7, 1030 (1989).
  19. G. S. Oehrlein, J. F. Rembetski, and E. H. Payne, J. Vac. Sci. Technol. B 8, 1199 (1990).
  20. M. Haverlag, G. S. Oehrlein, and D. Vender, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 96 (1994).
  21. K. V. Guinn and V. M. Donnelly, J. Appl. Phys. 75, 2227 (1994).
  22. K. V. Guinn, C. C. Cheng, and V. M. Donnelly, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 214 (1995).
  23. F. H. Bell, O. Joubert, and L. Vallier, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 1796 (1996).
  24. O. Joubert, P. Czuprynski, F. H. Bell, P. Berruyer, and R. Blanc, J. Vac. Sci. Technol. B 15, 629 (1997).
  25. H. F. Winters and J. W. Coburn, Surf. Sci. Rep. 14, 161 (1992).
  26. J. Givens, S. Geissler, J. Lee, O. Cain, J. Marks, P. Keswick, and C. Cunningham, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 427 (1994).
  27. M. Schaepkens, G. S. Oehrlein, C. Hedlund, L. B. Jonsson, and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 3281 (1998).
  28. N. R. Rueger, J. J. Beulens, M. Schaepkens, M. F. Doemling, J. M. Mirza, T. E. F. M. Standaert, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1881 (1997).
  29. B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, J. J. Beulens, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2802 (1996).
  30. P. J. Matsuo, B. E. E. Kastenmeier, J. J. Beulens, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 15, 1801 (1997).
  31. Plasma Etching, D. M. Manos and D. L. Flamm, Eds., Academic Press, Inc., San Diego, 1989.
  32. J. P. Simko and G. S. Oehrlein, J. Electrochem. Soc. 138, 2748 (1991).
  33. J. W. Butterbaugh, D. C. Gray, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 9, 1461 (1991).
  34. R. A. Heinecke, Solid State Electron. 18, 1146 (1975).
  35. L. M. Ephrath and E. J. Petrillo, J. Electrochem. Soc. 129, 2282 (1982).
  36. M. Schaepkens, T. E. F. M. Standaert, P. G. M. Sebel, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. A 17, 1 (1999).
  37. E. M. van Veldhuizen, T. Bisschops, E. J. W. van Vliembergen, and J. H. M. C. van Wolfput, J. Vac. Sci. Technol. A 3, 2205 (1985).
  38. T. E. F. M. Standaert, M. Schaepkens, P. G. M. Sebel, N. R. Rueger, and G. S. Oehrlein, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 239 (1998).
  39. G. S. Oehrlein, C. M. Ransom, S. N. Chakravarti, and Y. H. Lee, Appl. Phys. Lett. 46, 686 (1985).
  40. G. S. Oehrlein and H. L. Williams, J. Appl. Phys. 62, 662 (1987).
  41. C. Hedlund, C. Strandman, I. V. Katardjiev, Y. Backlund, S. Berg, and H.-O. Blom, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3239 (1996).
  42. R. Behrisch, Sputtering by Particle Bombardment I, Springer Verlag, Heidelberg, 1981.
  43. R. Behrisch, Sputtering by Particle Bombardment II, Springer Verlag, Heidelberg, 1983.
  44. R. Behrisch and K. Wittmaack, Sputtering by Particle Bombardment III, Springer Verlag, Heidelberg, 1991.
  45. G. S. Oehrlein, D. Zhang, D. Vender, and M. Haverlag, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 323 (1994).
  46. G. S. Oehrlein, D. Zhang, D. Vender, and O. Joubert, J. Vac. Sci. Technol. A 12, 333 (1994).
  47. D. J. Economou and R. C. Alkire, J. Electrochem. Soc. 135, 941 (1988).
  48. S. G. Ingram, J. Appl. Phys. 68, 500-4 (1990).
  49. M. F. Doemling, N. R. Rueger, G. S. Oehrlein, and J. M. Cook, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 1998 (1998).
  50. P. J. Matsuo, S. Allen, T. E. F. M. Standaert, G. S. Oehrlein, and T. Dalton, J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1999), in press.
  51. Applications of Plasma Processes to VLSI Technology, T. Sugano, Ed., John Wiley & Sons, Inc., New York, 1985.
  52. B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, G. S. Oehrlein, and J. G. Langan, J. Vac. Sci. Technol. A 16, 2047 (1998).
  53. B. E. E. Kastenmeier, P. J. Matsuo, G. S. Oehrlein, R. Ellefson, and L. Frees, J. Vac. Sci. Technol. A 17 (1999) in press.
  54. M. G. Blain, T. L. Meisenheimer, and J. E. Stevens, J. Vac. Sci. Technol. A 14, 2151 (1996).
  55. J. W. Coburn and H. F. Winters, J. Appl. Phys. 50, 3189 (1979).
  56. L. A. DeLouise, J. Chem. Phys. 94, 1528 (1991).
  57. L. A. DeLouise, J. Vac. Sci. Technol. A 9, 1732 (1991).
  58. L. A. DeLouise, J. Appl. Phys. 70, 1718 (1991).
  59. D. C. Gray, I. Tepermeister, and H. H. Sawin, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 1243 (1993).
  60. J. P. Chang, J. C. Arnold, G. C. H. Zau, Hyung-Shik Shin, and H. H. Sawin, J. Vac. Technol. A 15, 1853 (1997).
  61. D. B. Graves, M. J. Kushner, J. W. Gallagher, A. Garscadden, G. S. Oehrlein, and A. V. Phelps, Database Needs for Modeling and Simulation of Plasma Processing, National Research Council, Panel on Database Needs in Plasma Processing, National Academy Press, Washington, DC, 1996.
  62. W. H. Chang, I. Bello, and W. M. Lau, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 1221 (1993).
  63. H. F. Winters and J. W. Coburn, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 38, 189 (1985).
  64. H. F. Winters, in Plasma Chemistry III, S. Veprek and M. Venugopalan, Eds., Springer Verlag, Heidelberg, 1980, p. 69.
  65. T. J. Chuang, H. F. Winters, and J. W. Coburn, Appl. Surf. Sci. 2, 514 (1978).
  66. H. F. Winters, H. Coufal, C. T. Rettner, and D. S. Bethune, Phys. Rev. B 41, 6240 (1990).
  67. G. S. Oehrlein and G. J. Scilla, Radiation Effects in Defects & Solids 111+112, 299 (1989).
  68. G. S. Oehrlein, R. G. Schad, and M. A. Jaso, Surf. Interface Anal. 8, 243 (1986).
  69. Y. Horiike, in VLSI Electronics Microstructure Science, Volume 8, Plasma Processing for VLSI, N. G. Einspruch and D. M. Brown, Eds., Academic Press, Inc., New York, 1984, p. 448.
  70. M. Sekine, H. Okano, K. Yamabe, N. Hayasaka, and Y. Horiike, Bus. Center Acad. Soc. Jpn., Tokyo, 1985, p. 82.
  71. A. J. Yencha, in Electron Spectroscopy, Vol. 5, Academic Press, London, 1984, p. 197.

About IBM | Privacy | Legal | Contact